南京大学使用AAO模板结合创新的工艺过程，获得了铁电高分子材料纳米阵列，用于数据存储，相关结果发表在Adv. Funct. Mater. 相关结果对于AAO模板的应用有很大启发作用，也表明了上木科技AAO模板产品的孔阵列的均匀性和产品可靠性。

      聚偏氟乙烯（PVDF）基铁电高分子具有高达10μC/cm²的剩余极化值，因此在信息存储中具有诱人的应用前景。其卓越的电性能来源于极性晶体结构及其在外加电场中的反转或重新定向：极性的β型晶体的晶胞单元由两条偶极指向同一方向的锯齿形构象分子链组成，而偶极的方向会随着外电场方向翻转而翻转（图1）。与传统的无机材料相比，铁电高分子具有价格低廉、易加工、易弯折等诸多优点。目前，如何得到高密度、低缺陷的铁电高分子阵列并表征其电性能，是研究的趋势和难点。

（图1）

      最近，南京大学沈群东教授领导的电活性高分子课题组制备了偏氟乙烯基铁电高分子的超薄膜，并利用纳米压印技术，以多孔氧化铝模板（AAO）为压印模板对超薄膜进行加工，得到了高覆盖率、大面积的铁电高分子薄膜阵列。纳米加工后的铁电高分子铁电高分子仍然保持了良好的铁电性；利用压电力显微镜探针施加电场，可以在铁电高分子阵列上存储信息（图2）。纳米压印后的有机高分子铁电纳米薄膜能够实现75 Gb/inch²的存储密度。这一工作为铁电高分子在微型化、阵列式的柔性有机电子器件的应用提供了新思路。

（图2）

      研究成果发表《先进功能材料》 （Nano-imprinted ferroelectric polymer nanodot arrays potential for high density data storage (75 Gb inch^-2), Adv. Funct, Mater., 2013, 10.1002/adfm.201203042）。