2012年12月21日，浙江大学与我公司丁博士合作，使用我公司制备的孔径为20-80nm超薄AAO模板作为掩膜，在Si（001）单晶上生长Ge的六角堆积点阵列结构，并且研究了其发光现象，取得不错的进展，相关结果已经发表在Nanotechnology，其中我公司丁博士作为共同作者。
下图为利用AAO超薄模板制备的尺寸为（a）30nm，（b）50nm（c）70nm的Ge点阵列的FESEM图片：
图片引自：
Yourui Huangfu et al 2013 Nanotechnology 24 035302
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